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반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 도금용 시드(seed)를 적층하는 단계와, 상기 적층된 기판 상에 반도체 소자 패키지용 리본의 형상 패턴을 형성하는 단계와, 상기 형성된 형상 패턴에 도금을 수행하는 단계와, 상기 형상 패턴을 제거하는 단계와, 상기 기판을 제거하는 단계와, 상기 적층된 도금용 시드를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법을 구성한다. 상기와 같은 반도체 소자 패키지용 제조 방법에 따르면, 도금 및 반도체 제조 공정을 이용하여 반도체 소자 패키지용 리본을 제조함으로써, 다이오드 패키지 이후에 발생되는 기생 인덕턴스를 줄일 수 있도록 하는 다양한 리본 형상을 구현하고 쉽게 수정할 수도 있다. 특히, 다이오드의 전극 크기에 적합하도록 작고 얇은 리본을 용이하게 제조할 수 있다. 아울러 본딩을 한 번만 하면 되므로 수율이 높아지고 제조 단가가 감소하는 효과가 있다.