고출력 트랜지스터 및 그 제조 방법(HIGH POWER TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF)
등록번호 1378060조회수 25
- 기술구분
- 국방특허기술
- 기술분야
- 기계/소재
- 상세분야
- 트랜지스터
- 등록일
- -
- 발명자
- 홍인표 | 이복형 | 임병옥 | 최길웅
기술 내용
본 명세서는 주파수 특성의 감소 없이 높은 출력 특성을 갖는 고출력 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 명세서에 개시된 일 실시예에 따른 고출력 트랜지스터는, 기판과; 상기 기판상에 형성되고, 서로 분리된 제1 및 제2 에피층과; 상기 제1 에피층 상에 형성된 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극과; 상기 제1 소스 전극과 상기 제1 드레인 전극 사이에 형성된 제1 게이트 전극과; 상기 제2 에피층 상에 형성된 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극과; 상기 제2 소스 전극과 상기 제2 드레인 전극 사이에 형성된 제2 게이트 전극을 포함할 수 있다.