감광성 반도체 소자 및 그 제조방법
등록번호 10-1738939조회수 20
- 기술구분
- 국방특허기술
- 기술분야
- 전기/전자
- 상세분야
- 반도체 소자 및 시스템
- 등록일
- 2017/05/17
- 발명자
- 최종화
기술 내용
-민수사업화명 : 개선된 크로스토크 특성을 갖는 InGaAs 수광소자
-개요 : 근적외선 포토다이오드의 크로스토크 특성 개선
-특징 : 깊은 가드링 구조를 적용하여 근적외선 포토다이오드배열의 크로스토크 특성 개선
-민수활용분야 : 광통신용 소자 배열
-출원일 : 2016-04-05
-등록일 : 2017-05-17