암전류가 작은 감광성 반도체 소자 및 이의 제조방법
등록번호 10-1827213조회수 15
- 기술구분
- 국방특허기술
- 기술분야
- 전기/전자
- 상세분야
- 반도체소자 및 시스템
- 등록일
- 2018/02/01
- 발명자
- 하창수
기술 내용
-민수사업화명 : 암전류가 작은 감광성 반도체 소자 및 이의 제조방법
-개요 : 광 검출기 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 단파장적외선 대역 광 검출기에 사용되는 감광성 반도체 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
-특징 : Zn SOG(Solar-grade) 확산 공정에서 사용되는 확산 방지막의 박막 스트레스를 최소화하여, 종래에 비해 낮은 암전류 특성을 가지는 감광성 반도체 소자를 제조할 수 있는 특징을 갖는다.
-민수활용분야 : 적외선 영상 활용 분야(의료, 농업, 보안, 인공위성 등)
-출원일 : 2017-06-22
-등록일 : 2018-02-01