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기술 내용

-민수사업화명 : 고선형/고출력 고전자 이동도 트랜지스터 기술

-개요 : 본 특허는 게이트 전극과 드레인 전극의 거리 조절을 사용한, 다양한 문턱전압을 가지는 HEMT 제조방법에 관한 것이다.

-특징 : 고주파 동작시 3차 고조파(third order harmonic)의 발생을 억제하고, 선형성을 향상시키며 소자의 고주파 출력 성능을 개선시킨 HEMT 제조 방법을 제공한다.

-민수활용분야 : GaN 기반의 전력증폭소자 분야

-출원일 : 2017-12-15

-등록일 : 2019-05-29