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기술 내용

- 민수사업화명 : GaN HEMT 반도체소자 공정 기법 - 개요 : 본 특허는 오믹 접촉이 이루어지는 면적을 증가시켜 접촉저항을 낮추는 HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소자에 관한 기술이다. - 특징 : 오믹 접촉면 중에서 전류가 흐르는 방향의 경계영역에 인위적인 요철 모양의 굴곡을 만들어, 더 낮은 접촉 저항값을 가지게 함으로써 실제 소자의 동작 특성을 향상시키는 특징이 있다. - 민수활용분야 : GaN 전력소자를 이용한 분야 - 출원번호 : 10-2018-0121076 - 출원일 : 2018-10-11 - 등록번호 : 10-2123592 - 등록일 : 2020-06-10