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-특허기술명 : 루게이트 다공질 실리콘 양자점의 제조방법 및 루게이트 다공질 실리콘 양자점 기반 폭발물 탐지용 화학센서 -산업기술분류 : 화학-화학공정 -국방과학기술분류 : 화생방-화생방탐지/식별/경보 -출원번호 : 10-2018-0122458 -출원일 : 2018-10-15 -등록번호 : 10-2206152 -등록일 : 2021-01-18 -개요 : 본 발명은 루게이트 (Rugate) 다공질 실리콘 (PSi) 양자점 (Quantum Dot)의 활용으로 발광 강도가 증폭된 양자점 기반 폭발물 탐지용 화학센서에 관한 것으로, 폭발물을 탐지하는 다공질 실리콘의 양자점의 전도대 (conduction band)에 있는 전자가 폭발물의 최저공궤도 (Lowest Unoccupied Molecular Orbital)로 이동하면서 양자점의 특정 발광 (light emission) 파장 (wavelength)영역의 소광 (photoluminescence quenching) 현상에 기반한다.; 본 발명은 루게이트 형상의 다공질 실리콘의 광학적 특성 활용하여 기존에 개발된 화학센서 만으로 탐지 할 수 없었던 니트로 아민계와 나이트레이트 에스테르계의 화합물도 감지하는데 목적이 있다.