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반도체 소자 제조 방법이 개시된다. 활성층이 형성된 기판의 제1 면에 제1 금속층을 형성하는 단계와, 상기 형성된 제1 금속층 상에 방열판 형성 패턴에 따라 방열판을 형성하는 단계와, 상기 형성된 방열판 형성 패턴 및 방열판 상에 지지층을 형성하는 단계와, 상기 기판을 연마하는 단계와, 상기 기판의 제2 면에 반도체 소자 패턴에 따라 제2 금속층을 형성하는 단계와, 상기 반도체 소자 패턴에 따라 상기 기판 및 제1 금속층을 식각하여 반도체 소자를 형성하는 단계와, 상기 지지층을 식각하여 상기 반도체 소자를 분리하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법을 구성한다. 상기와 같은 반도체 소자 제조 방법에 따르면, 소잉(sawing)이 아닌 식각에 의해 반도체 소자를 분리함으로써, 방열판 소잉시에 소(saw)가 지나간 부위가 늘어나거나 방열판 뒷면이 솟아오르는 문제점을 방지할 수 있는 효과가 있다.